SDP8436
硅光电晶体管
开关时间测试电路
开关信号波形
V CC +5 V
集电极
cir_015.cdr
1.0 V
cir_004.cdr
90%
砷化镓发射器
e o
10%
250 μS
H
发射极
R L
1000 Ω
e O
0 V
t r
t
t f
图 1
响应率与角位移
1.0
gra_013.ds4
图 2
2.0
集电极电流与环境温度
gra_039.ds4
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0.0-40
-30
-20
-10
0
+10 +20 +30 +40
0
10
20
30
40
50
60 70
80
角位移 - 度
环境温度 - ° C
图 3
暗电流与温度
1000
gra_301.ds4
图 4
100
非饱和开关时间与负载阻抗
gra_041.ds4
100
10
1
0.1
VCE = 15 V
H = 0
10
0.01
-40
-20
0
20 40
大气温度 - ° C
60
80
100
1
10
100 1000
负载阻抗 - Ohms
10000
130
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利,
以便改善设计,并提供最佳产品。
相关PDF资料
SDP8476-201 PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK
SE2460-002 DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK
SFP-1GBT-05 OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER
SFP-1GBT-06 OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER
SFP9530 MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220
SFT1341-E MOSFET P-CH 40V 10A TP
SFT1341-TL-E MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA
SFT1342-E MOSFET P-CH 60V 12A TP
相关代理商/技术参数
SDP8436-2TR 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
SDP8436-3 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW; Transistor Polarity:NPN; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:18; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes
SDP8436-3 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW
SDP8436-3TR 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
SDP8475-201 功能描述:光电晶体管 Low Light Rejection Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
SDP8476-201 功能描述:光电晶体管 .32mAPHOTOTRANSISTOR IR COMPONENT 20 deg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
SDP8490-303 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:
SDP85N03L 制造商:SAMHOP 制造商全称:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor